日前，特斯拉发布了ModelSPlaid车型，该款车搭载的碳化硅逆变器助其成为全球现阶段最快的量产车型，至此，特斯拉已有三款车型采用SiC技术。
国内方面，比亚迪汉EV高性能四驱版本是国内首款采用SiC技术的车型，到2023年，比亚迪电动车将实现SiC车用功率半导体对硅基IGBT的全面替代。此外，今年蔚来发布的首款纯电轿车也将搭载采用SiC模块的第二代电驱平台。#碳化硅
根据Yole预测，2020年全球碳化硅功率器件市场规模约5-6亿美元，约占整个功率半导体器件市场份额的3-4%，预计到2022年，碳化硅功率器件的市场规模有望超过10亿美元。
碳化硅是第三代半导体材料，与传统硅基材料相比，其临界击穿电场高、散热特性好、临界温度高，特别适用于高压、高温、高频、高速电力电子系统。
碳化硅功率器件的研发始于20世纪90年代，目前已成为新型功率半导体器件研究开发的主流。
与氮化镓相比，碳化硅拥有更高的热导率和更成熟的技术，适用于1200V以上的高温大电力领域，多制作高压、高温、高频、高抗辐射及大功率器件，在新能源汽车、新能源发电、轨道交通、航天航空、国防军工等极端环境应用有着不可替代的优势。
碳化硅产业链主要包含单晶材料、外延材料、器件、模块和应用这几个环节。
由于衬底在器件中的高成本占比，使得掌握衬底工艺和产能的企业在竞争中具有优势。
碳化硅产业竞争格局
目前，全球碳化硅产业格局呈现美、欧、日三足鼎立格局，其中美国一家独大，全球碳化硅半导体产量70%-80%来自美国公司，欧洲在碳化硅衬底、外延、器件以及应用方面拥有完整的产业链；日本是设备和模块开发方面的领先者。
据CASA统计，全球SiC器件领域主要厂商包括Infineon、Cree、Rohm、ST，四家合计占据90%的市场份额。
美国的Cree和日本的Rohm都是拥有从衬底、外延片到器件碳化硅全产业链生产的能力，所生产的碳化硅衬底除对外销售外，其余部分为自用。
国际企业通过提前锁定衬底产能保证未来供应。如Cree与英飞凌、意法半导体等欧美主要碳化硅下游企业签订长期供货协议，公司四分之三的材料业务都签订了长期协议。
我国碳化硅产品主要依赖进口，国产替代空间广阔
目前国内长晶炉效率不到Cree的五分之一，目前有天科合达和山东天岳，6寸衬底开始规模化生产或者开始建设产线。
外延片市场主要被IDM公司主导，如三菱、英飞凌和意法半导体。在国内纯粹做外延片的有瀚天天成和东莞天域，均可供应4-6英寸外延片，中电科13所、55所亦均有内部供应的外延片生产部门。
器件方面，意法半导体、安森美、英飞凌和罗姆都是重要供应商，华润微的国内首条6寸商用SiC产线已经正式量产，三安光电拟投资160亿元的碳化硅全产业链布局的湖南子公司也于2020年开工。
