SiC产品矩阵扩大，技术更上一层楼
根据官方消息显示，华润微于12月17日召开了新品发布会，正式揭开了旗下自主研发量产SiC MOSFET产品的面纱，同时推出了第二代650V/1200V SiC JBS产品。
据介绍，华润微第一代650V/1200V SiC JBS产品已于去年7月推向市场，主要应用于工业控制、新能源及汽车等领域。今年，华润微加大SiC JBS产品在PC电源及充电桩、太阳能逆变器、通信电源等工控领域的客户送样力度，订单大幅增加，销售收入实现突破性增长。
据其半年报显示，本次发布的第二代650V/1200V SiC JBS产品的芯片尺寸相比第一代缩小了25%，产品经核心客户通信电源产品应用测试，关键器件参数优化提升效果显著。
华润微此次重点推出的新品SiC MOS单管CRXQ160M120G1具有栅氧可靠性好、高电流密度、高开关速度、工业级可靠性、Ron随温度变化小等优势，主要瞄准新能源汽车OBC及充电桩市场，同时也适用于工业电源、光伏逆变、风力发电等市场。华润微表示，这款产品性能对标国际一线品牌。
产能方面，根据11月公开消息显示，目前华润微的6英寸SiC晶圆生产线主要为自用，产能约为1,000片/月。
从SiC肖特基二极管的不断升级到SiC MOSFET的推出，这一系列进展不仅标志着华润微电子SiC系列产品矩阵的扩大，也意味着其在SiC领域的技术创新水平更进了一步，SiC的产业化进程不断提速。目前，其SiC二极管已量产并产生销售收入，未来随着SiC MOSFET等新品逐步获得客户的认可，华润微在SiC领域的市场占有率也将提升。
SiC、GaN两手抓，三代半布局版图不断扩大
在宽禁带半导体领域，不止SiC，华润微的布局也覆盖GaN。
作为一家拥有芯片设计、晶圆制造、封装测试等全产业链一体化经营能力的功率半导体IDM厂商，华润微也早已开始积极利用其现有的全产业链优势，从衬底材料，器件设计、制造工艺，封装工艺全方位开展硅基GaN的研发工作，大力推动第一代650V GaN器件的研发。
本次发布会上，华润微表示，公司已同步开启硅基GaN产品8英寸线与6英寸线的研发工作，产品主要面智能手机充电器、电动汽车充电器、电脑适配器等领域。
截至上半年，华润微第一代650V硅基氮化镓Cascode器件样品静态参数已达到国外对标水平，正在进行外延材料质量、芯片面积及工艺的优化，以进一步提升器件可靠性和性价比。同时，公司自主研发的第一代650V硅基氮化镓E-mode器件已实现器件功能，工艺正在开发中。按照计划，华润微拟完成650V硅基氮化镓器件的研发，建立相应的材料生产、产品设计、晶圆制作和封装测试能力。
同时，华润微也正在积极开展基于GaN的快充方案及芯片研发，上半年已完成自研系统设计，ACF架构原型机设计达到预期。同时，综合设计已完成，正在进行版图设计。根据研发计划，华润微拟采用新型的GaN器件控制及驱动技术，开发GaN器件的驱动芯片及基于GaN器件的快充电源系统方案。
可以看到，从SiC到GaN，华润微在第三代半导体领域的布局版图正在不断扩大。在下游新兴应用需求的推动下，华润微依托其较为领先的技术实力及已确立的市场地位，有望在未来加速占据更多市场份额，为国内第三代半导体产业生态贡献力量。
