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Vishay的最新第四代600V E系列MOSFET器件的性能达到业内最佳水平

发布日期:2019-01-29 浏览次数:524
 法尼亚MALVERN  2019128日前,Vishay Intertechnology, Inc.NYSE 股市代号:VSH)宣布推出最新第四600 V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n沟道SiHH068N60E导通电阻比前一代600 V E系列MOSFET27 %,为信、工业和企业级电源应用提供高效解决方案,同时,栅极电荷下降60 %。从而使其栅极电荷与导通电阻乘积在同类器件中达到业内最低水平,该参数是600 V MOSFET在功率转换应用中的关键指标 (FOM)

 

Vishay提供支持所有功率转换过程的各种MOSFET技术,涵盖需要高压输入到低压输出的各种最新电子系统。随着SiHH068N60E的推出以及即将发布的第四代600 V E系列产品,我们可在设计电源系统架构的初期满足提高能效和功率密度的要求包括功率因数校正和硬切换DC/DC转换器拓扑结构。

 

SiHH068N60E采用Vishay最新的高能效E系列超结技术,10 V条件下典型导通电阻仅为0.059 Ω,超低栅极电荷下降到53 nC器件的FOM3.1 Ω*nC,比同类最接近的MOSFET12 %SiHH068N60E有效输出电容Co(er)Co(tr) 分别仅为94 pf591 pF,可改善开关性能。这些性能参数意味着更低的传导和开关损耗,从而达到节能效果。

 

日前发布的器件采用PowerPAK® 8x8封装,符合RoHS标准,无卤素,可承受雪崩模式下过压瞬变,并保证极限值100 %通过UIS测试。 

 

SiHH068N60E现可提供样品并已实现量产,供货周期为10周。

 

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