陈志星指出，SiC、GaN相关宽能隙(WBG)功率元件价格已经出现很大的降幅，但成本仍是打开市场的关键。碳化硅、氮化镓两类芯片的价格差距不大，但是这这两种产品与单纯的Si硅产品之间成本差距确实存在，目前成本还比较高昂。
英飞凌预测，未来在生产规模、产能投资、良率控制等方面的共同推进下，SiC、GaN功率元件的成本有望有效下降，预计3~5年后有机会把成本降到跟硅基元件相仿的程度，后段制程技术也持续推进。
据了解到，英飞凌此前率先使用12英寸晶圆工厂生产硅基功率元件，近年来GaN氮化镓芯片随着手机、电脑充电器的发展，得到越来越广的应用，相关制造技术也在快速推进中。由于SiC碳化硅功率元件已经问世20多年，英飞凌表示，这类芯片以往使用2、4英寸晶圆工厂生产，现在则转向主流的6英寸，未来走向使用8英寸厂生产是非常正常的。
