ST 表示，全球消费性电子产品的产量很大，若提升效能便可大幅减少二氧化碳排放。而氮化镓（GaN）是一种宽禁带化合物半导体材料，其电压耐受能力优于传统硅材料，且不会影响导通电阻效能，故可降低开关损耗。此外，GaN 产品的开关效能也比传统的硅基产品的效能高，开关频率也可以更高，故应用电路可采用尺寸更小的被动元件。
ST 指出，上述所有优势让设计人员得以减少功率转换器的总损耗（减少产生的热）并提升效能。因此，GaN 可让电子产品小型化，例如，采用GaN 的PC 电源适配器比当今普及的充电器尺寸更小而且重量更轻。根据相关厂商的预测，使用GaN 元件后，标准的手机充电器可缩小高达40%，或于相同尺寸条件下可以输出更高的功率。
为此，ST 推出新G-HEMT 产品家族首款产品（650V SGT120R65A），其具有120m 最大导通电阻（Rds(on)）、15A 的最大输出电流和优化闸极驱动的开尔文接法脚位。
意法半导体汽车和离散元件产品部副总裁暨功率电晶体事业部总经理Edoardo Merli 表示，商用GaN 产品是功率半导体的下一个战场，而ST 推出隶属STPOWER 产品组合之新系列的首款产品，为消费、工业和汽车电源应用带来突破性的效能表现。未来ST 将逐步扩大PowerGaN 产品组合，让全球客户都能设计出更高效、更小巧的电源。
