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SK海力士大砍资本支出,传高达八成

发布日期:2022-10-09 作者:网络

 韩媒披露,全球第二大DRAM厂暨储存型快闪记忆体(NAND Flash)二哥SK海力士将大砍明年资本支出七至八成。加上先前美光、铠侠已揭露下修资本支出或大幅减产计划,这三大指标厂市占总和已能与龙头三星抗衡,其缩减投资与产出将加速记忆体市况赶底复苏。


此前,美光率先宣布下修明年度资本支出三成,其后铠侠也揭露日本厂区减产三成讯息,SK海力士则是目前传出资本支出修正幅度最大的记忆体厂。


根据市调机构集邦科技(TrendForce)统计,今年第2季SK海力士NAND芯片全球市占19.9%,铠侠15.6%,美光12.6%,三家公司超过三星的33%;DRAM方面,今年首季SK海力士市占27.3%,美光23.8%,两家公司市占总和逼近三星的43.5%。

业界人士指出,美光、铠侠、SK海力士在全球DRAM与NAND芯片市占总和进逼甚至超越三星,时值记忆体市场供过于求,价格直直落,三大厂不约而同大幅缩减投资或产出,对市场正面效果「比三星单一公司宣布减产或缩手资本支出还可观」。

南韩媒体报导,考量记忆体市况疲弱,SK海力士明年资本支出将大幅缩减七至八成;据悉,SK海力士过去都在每年8至9月决定隔年设备投资计划,但由于疫情、设备交期等因素,SK海力士今年提前下单,4月便与供应商谈明年设备投资,随着芯片供给过剩, 9 月底开始对设备商砍单。


先前美光也因需求下滑,放慢生产速度并削减资本支出,预期2023会计年度资本支出将减少约80亿美元,即至少30%,晶圆厂设备支出减少50%;日商铠侠随后宣布,10月起将旗下位于日本四日市及北上市快闪记忆体厂产能下调近30%。


集邦认为,在各大原厂DRAM减产规划将远低于供给位元成长的历史水位后,2023全年DRAM供过于求比率将由原先预估的11.6%,收敛至低于10%,有助改善快速恶化的库存压力。业界认为,随大厂逐步减产或缩减资本支出,将能加速产业市况走出谷底。


存储芯片供应商断臂自救


消费性电子需求疲弱,芯片生产链加快库存去化,记忆体同样面临供过于求压力,DRAM及NAND Flash第三季合约价格大跌,价格跌势恐延续到明年上半年。为了减缓价格下跌速度及幅度,包括美光、铠侠等大厂已透露将减产保价,业者预期韩系大厂第四季应会加入减产行列,让记忆体价格在明年第一季提前触底。


台湾记忆体厂南亚科、华邦电等目前没有减产动作,包括威刚、群联等模组厂则降低库存因应,业者寄望国际大厂减产能让下半年价格跌势放缓,明年上半年价格若有效止跌,看好明年全年营运可望如倒吃甘蔗逐季回温。


第三季DRAM合约均价跌幅约达15%左右,其中标准型8GB DDR4模组合约均价季减14.15%达24.87美元,伺服器32GB DDR4模组合约均价季减14.07%达116美元。利基型DRAM的4Gb DDR4及2Gb DDR3第三季合约均价较上季下滑15%~17%之间,第四季恐全面跌破2美元整数价位。


第三季NAND Flash合约价较上季下跌约7%~8%,其中128Gb MLC NAND合约均价季减7.58%达4.40美元,64Gb MLC NAND合约均价季减6.99%达3.17美元。主要应用在工控领域的4Gb及8Gb SLC NAND第三季合约均价普遍较上季下跌8%左右。


集邦日前预期在高通膨影响下,消费性产品需求疲软且旺季不旺,终端买方因需求明显下滑而延缓采购,导致供应商库存压力进一步升高。DRAM供应商为求增加市占的策略不变,导致第四季DRAM价格续跌13~18%。至于各类NAND Flash终端产品需求仍然疲弱,原厂库存急速上升,预期将导致第四季NAND Flash总体平均价格跌幅扩大至15~20%。


面对记忆体价格急跌,业者已计划减产因应,其中,美光在日前法人说明会中指出,第四季会开始放慢生产速度来缩减位元供给量,并决定降低2023年会计年度资本支出达30%,晶圆设备采购支出会降低50%。至于铠侠已宣布将减产30%,约影响全球产能约9%幅度。业者除了希望减产保价,也期望价格在明年第一季提前触底。


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