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4.62亿元升级SiC芯片生产线!本土厂商抢占车规级半导体高地

发布日期:2022-04-15 作者:网络
 近日,时代电气发布关于自愿披露控股子公司投资碳化硅芯片生产线技术能力提升项目的公告。

公告显示,公司控股子公司株洲中车时代半导体有限公司拟投资4.62亿元进行碳化硅芯片生产线技术能力提升建设项目,项目建设工期24个月。项目建成达产后,将现有平面栅SiCMOSFET芯片技术能力提升到满足沟槽栅SiCMOSFET芯片研发能力,将现有4英寸SiC芯片线提升到6英寸,将现有4英寸SiC芯片线年10000片/年的能力提升到6英寸SiC芯片线25000片/年。

时代电气表示,本项目的建设是基于公司发展战略和市场需求的重要举措,符合国家政策发展方向,通过该项目的实施,有利于进一步扩大和增强企业竞争力,为公司碳化硅产业的发展带来新的发展机遇。同时,项目完成后,公司工艺平台能力、产品研发能力及生产制造能力进一步提升。从长远来看,对公司的业务布局和经营业绩均有积极作用。

公开资料显示,时代电气主要从事轨道交通装备产品的研发、设计、制造、销售并提供相关服务,具有“器件+系统+整机”的产业结构。同时,公司在功率半导体器件、工业变流产品、新能源汽车电驱系统、传感器件、海工装备等领域开展业务。

为响应国家要求及公司整体发展战略,公司半导体产业致力于打造先进的功率半导体器件自主核心技术,依托强大的应用及产业平台,强化“芯片-模块组件-装置-系统”完整产业链,形成器件技术推动装置进步、装置技术拉动器件技术的良性循环。

在功率半导体器件领域,公司建有6英寸双极器件、8英寸IGBT和6英寸碳化硅的产业化基地,拥有芯片、模块、组件及应用的全套自主技术。其中,公司生产的全系列高可靠性IGBT产品打破了轨道交通核心器件和特高压输电工程关键器件由国外企业垄断的局面,目前正在解决我国新能源汽车核心器件自主化问题。

公告披露,本项目实施后将形成面向新能源汽车、轨道交通方向的SiC芯片量产生产线,并进一步研发高性能的新产品,可以进一步推进中车时代半导体工艺技术进步,提升产业化水平,实现国家第三代半导体关键芯片自主化,提升国际竞争力,保障第三代半导体产业的可持续发展具有重要意义。

相关数据预测,到2025 年全球新能源汽车有望达到1100万辆,中国占50%。新能源汽车需要新增大量的功率半导体,48V 轻混需要增加90美元以上,电动或者混动需要增加330美元以上,如果采用 SiC 器件,则单车价值量增加更多。因此,随着成本下降和技术的逐步成熟,SiC 在新能源车中具有较大的应用空间。

事实上,时代电气早在“十三五”期间,就建成了碳化硅芯片线,从目前来看,这不仅仅解决了公司在碳化硅技术领域从无到有的突破,更为此次升级改造奠定了良好的根基。

比如,公司由此拥有了良好的技术基础,公司在碳化硅器件领域已申请多项发明专利及发表多篇论文,完成了第一代技术产品的开发和技术积累,已形成成熟的SiC芯片产品“设计-制造-测试-模块”完整能力,公司SiC产品在地铁、新能源汽车、光伏等市场领域均已实现应用示范。

公司已全面掌握平面栅(DMOS+)技术、沟槽栅 (TMOS) 技术和精细沟槽(RTMOS)技术。公司建有6英寸双极器件、8英寸IGBT和6英寸碳化硅的产业化基地,拥有芯片、模块、组件及应用的全套自主技术,除双极器件和IGBT器件在输配电、轨道交通、新能源等领域得到广泛应用外,公司的“高性能SiC SBD、MOSFET电力电子器件产品研制与应用验证”项目已通过科技成果鉴定,实现了高性能SiC SBD五个代表品种和SiC MOSFET三个代表品种,部分产品已得到应用。

可以说,公司拥有的完善项目建设体系是项目成功的重要保障。公司有过多条产业化半导体生产线的建设经验,技术团队具备丰富的项目组织经验与能力,拥有健全的项目实施机构,完备的项目管理制度,完善的资金控制体系,可完全胜任本项目的建设。

整体来看,伴随6英寸SiC晶片制造技术的成熟,其相关产品质量和稳定性逐渐提高,带动国外下游器件制造厂商对SiC晶片的采购需求逐渐由4英寸向6英寸转化, 6英寸碳化硅的主流趋势明显。

此次时代电气提升碳化硅芯片生产线技术能力较好的顺应了行业发展大势,既可以较好的满足下游新能源、光伏以及储能的爆发式需求,极大的增厚公司业绩,又可以提升国家第三代半导体关键芯片自主化,加速推动国产替代。

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