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台湾第三代半导体新进展!太极子公司4吋半绝缘SiC衬底开始送样!

发布日期:2021-08-11 来源:化合物半导体市场作者:网络
 
据最新消息,台湾太阳能厂商太极旗下盛新材料于昨日(8月9日)宣布,其 4吋半绝缘SiC衬底已送样验证,力争今年底量产


目前盛新材料拥有16台长晶炉,其中1台和集团母公司广运共同研发成功的长晶炉,单月有效产量达400片。


SiC衬底进入量产前,须经过三阶段测试验证,通常为期一年时间,第一阶段为送样测试;第二阶段为试产;第三阶段则进入每月百片以上量产规模测试。且通常在进入第二阶段时,客户便会提前预定产能。


大尺寸SiC长晶技术方面,盛新已掌握6吋晶锭从热场模拟、材料、制程的扩晶技术,未来将直接切入6吋SiC衬底。

 

另一方面,台湾知名硅晶圆大厂环球晶圆的化合物半导体业务也在积极跟进,日前涉足SiC衬底和GaN外延片。


其SiC衬底集中在6吋导电型,目前月产能逾2,000片,年底会扩至5,000片;GaN-on-Si外延片月产能2,000片,以6吋产品为主;而在GaN-on-SiC外延片方面,因难度较高,目前以4吋片小批量出货。


值得注意的是,环球晶圆下半年将合并德国Siltronic,两者的GaN-on-Si技术或将深度融合。同时,此次收购后,预计环球晶圆将成为全球第二大硅晶圆厂,甚至有可能超过日本信越跃居第一。

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