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又一重大突破!比亚迪半导体IGBT迈入6.0时代

发布日期:2021-05-18 作者:网络

 近日,比亚迪发布了《关于分拆所属子公司比亚迪半导体有限公司至创业板上市的预案》,芯片业务经营层面的变革之后,紧接着就带来了技术层面的突破,即比亚迪的IGBT 6.0芯片。新一代功率芯片由比亚迪半导体西安研发中心主导,将于稍后正式发布。

据悉,比亚迪半导体在全国拥有五大研发及生产制造基地,分别是深圳、惠州、宁波、长沙、西安。位于西安的半导体研发中心,将配备近千人的研发团队,是比亚迪半导体精心布局的全新研发基地,承担着开启新一轮半导体创新与研发攻坚战的使命。

比亚迪半导体将充分利用西安在集成电路方面的人才资源、供应链资源及客户资源,主要从事功率半导体、智能传感器、智能控制IC等半导体产品的设计及服务,进一步提升公司产品研发和技术实力。

作为电动车三电系统的控制核心,IGBT芯片是整车成本中仅次于动力电池的关键零部件。IGBT芯片良品率的提升,将有助于成本的降低,同时辐射到生产效率,为自动化生产线提升单位时间产能提供了良好的基础。所以,比亚迪IGBT 6.0不仅是一次技术突破,还是解决目前功率半导体市场较大缺口,未来获得更多客户的一大利器。

 

据了解,自2002年进入半导体领域以来,比亚迪半导体在2009年便推出国内首款自主研发的 IGBT 芯片,2018年推出 IGBT4.0 芯片并树立国内中高端车用IGBT新标杆。截止2020年底,以IGBT为主的车规级功率器件累计装车超过100万辆,单车行驶里程超过100万公里。

IGBT4.0芯片通过精细化平面栅设计,使得同等工况下,综合损耗较市场主流产品降低了约20%,整车电耗显著降低。

时至2021年,比亚迪对此进行了升级,从4.0的精细化平面栅设计进阶到了6.0的高密度沟槽栅技术。比亚迪半导体称,相较同类产品在可靠性及产品性能上将实现重大突破,达到国际领先行列。

资料显示,IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)是一种大功率的电力电子器件,主要用于变频器逆变和其他逆变电路,将直流电压逆变成频率可调的交流电,俗称电力电子装置的“CPU”。

IGBT是新能源汽车最核心的技术,其好坏直接影响电动车功率的释放速度:直接控制直、交流电的转换,同时对交流电机进行变频控制,决定驱动系统的扭矩(直接影响汽车加速能力)、最大输出功率(直接影响汽车最高时速)等。

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