该功率MOSFET采用碳化硅（SiC）这种新材料，与常规的硅（Si）MOSFET、IGBT产品相比，具有高耐压、高速开关和低导通电阻特性，有利于降低功耗，精简系统。
新产品采用了可提高碳化硅MOSFET可靠性的东芝第二代芯片设计生产[1]，实现了输入电容低、栅输入电荷低、漏源导通电阻低等特性。与东芝推出的1200V硅绝缘栅双极晶体管（IGBT）“GT40QR21”相比，“TW070J120B”关断开关损耗降低80%左右，开关时间（下降时间）缩短大约70%，并且能够在不超过20A[2]的漏极电流下提供低导通电压。
它的栅阈值电压被设置在4.2V至5.8V的较高电压范围内，有助于减少故障风险（意外开启或关闭）。此外，内置的具有低正向电压的碳化硅肖特基势垒二极管（SBD）也有助于降低功率损耗。
在大容量AC-DC转换器、光伏逆变器、大容量双向DC-DC转换器等工业应用中，这种新型MOSFET不仅将通过降低功率损耗来达到提高效率的目的，而且也将为缩小设备尺寸做出贡献。
应用：
大容量AC-DC转换器
光伏逆变器
大容量双向DC-DC转换器
特性：
第2代芯片设计（内置碳化硅SBD）
高电压、低输入电容、低总栅电荷、低导通电阻、低二极管正向电压、高栅阈值电压：
VDSS＝1200V，Ciss＝1680pF（典型值），Qg＝67nC（典型值），
RDS（ON）＝70mΩ（典型值），VDSF＝-1.35V（典型值），Vth＝4.2～5.8V
增强类型易于操作
主要规格：
（除非另有说明，@Ta＝25℃）
