据报道，台积电当时斥资30亿美元，在南京厂以16纳米制程导入试产之后，原本预计在2018年年底进行量产计划。未来正式进入量产之后，台积电南京厂预计每月将有2.2万片12英寸晶圆的产能。
2017年9月，台积电发布新闻称，将在南部科学工业园区台南园区投资兴建3nm制程厂。按照制程的推进，10nm之后是7nm，然后是5nm和3nm直到1nm。不过，Intel此前也表示，3/5mn将面临很多前沿性的技术难题。
制造工艺到底是什么？
芯片的制造工艺常常用90nm、65nm、40nm、28nm、22nm、14nm来表示。现在的CPU内集成了以亿为单位的晶体管，这种晶体管由源极、漏极和位于他们之间的栅极所组成，电流从源极流入漏极，栅极则起到控制电流通断的作用。
而所谓的XX nm其实指的是，CPU的上形成的互补氧化物金属半导体场效应晶体管栅极的宽度，也被称为栅长。
栅长越短，则可以在相同尺寸的硅片上集成更多的晶体管——Intel曾经宣称将栅长从130nm减小到90nm时，晶体管所占得面积将减小一半；在芯片晶体管集成度相当的情况下，使用更先进的制造工艺，芯片的面积和功耗就越小，成本也越低。
栅长可以分为光刻栅长和实际栅长，光刻栅长则是由光刻技术所决定的。由于在光刻中光存在衍射现象以及芯片制造中还要经历离子注入、蚀刻、等离子冲洗、热处理等步骤，因此会导致光刻栅长和实际栅长不一致的情况。
另外，同样的制程工艺下，实际栅长也会不一样，比如虽然三星也推出了14nm制程工艺的芯片，但其芯片的实际栅长和Intel的14nm制程芯片的实际栅长依然有一定差距。
为什么要缩小制程？
1，就是可以在更小的晶片中塞入更多的电晶体，让晶片不会因技术提升而变得更大；
2，可以增加处理器的运算效率；
3，减少体积也可以降低耗电量；
4，晶片体积缩小后，更容易塞入行动装置中，满足未来轻薄化的需求。
纳米制程对半导体公司意味着什么？
在半导体芯片行业，企业的模式主要分三种，像英特尔这种，从设计，到制造、封装测试以及投向消费市场一条龙全包的企业，称为称为IDM(Integrated Design and Manufacture)公司。
而有的公司只做设计这块，是没有fab（工厂）的，通常就叫做Fabless。例如AMD、高通、博通等。
而还有的公司，只做代工，只有fab，不做设计，称为Foundry（代工厂），常见的台积电等。
纳米制程是针对IDM和Foundry而言，Fabless没有工厂，不需要担心纳米制程的问题。他们只需要选择合作对象，给他们设计的芯片进行代工，所以更先进的制程对于IDM和Foundry的意义就不言而喻了。
各大厂商的纳米制程进度如何？
英特尔
英特尔在2014年进入14纳米世代时，近几年来持续微缩推出加强版，至今仍是全球技术最领先的制程，只是过去领先竞争者2～3个世代的差距，随着台积电及三星今年跨入10纳米世代后，已缩小至1～1.5个世代。2017年下班年英特尔计划开始启动10纳米制程量产，然而到目前为止，10纳米技术却仍然没有到来。
英特尔10纳米芯片延迟推出，主要是出于财务方面的考虑，并不是因为它没有能力制造良好的10纳米CPU。大家应该都知道英特尔有许多Fab工厂，而工厂正是英特尔CPU成功的关键原因之一。
英特尔CPU集团从英特尔Fab订购圆晶，在外人看来，二者名义不同但实际是一样的，其实不是，它们由两家独立的公司运营。不论什么时候，英特尔Fab都想用圆晶赚更多的钱。
2018年英特尔10纳米芯片（也就是Cannon Lake、Ice Lake）就会出货，到时英特尔希望良率能达到非常高的水平。
三星
三星量产14nm工艺都快两年了，即使领先同业量产 10 纳米，晶圆代工厂的主要客户有高通，但仍无法有效与台积电竞争。
三星在7纳米制程暂时败给台积电，面对苹果、高通等大客户订单纷落入台积电口袋，三星酝酿展开反击，日前与南韩华城市达成共识，计划建立新的7纳米制程生产线，三星并与美系、大陆客户洽谈新的合作案，积极反击的策略明显。
三星在分拆晶圆代工部门之后，调整战术愈益积极，计划2020年推出4纳米制程，显然是瞄准台积电5纳米制程而来，三星也规划在2017~2020年之间，持续推进半导体制程技术，计划2018年量产7纳米，2019年陆续投入6纳米和5纳米研发。
三星晶圆代工部门相关主管对外表示，预计以5年的时间拿下全球晶圆代工25%市占率。目前台积电的全球市占率接近60%，远高于其他竞争对手，三星的市占率还不到10%。三星早期是帮苹果手机处理器芯片做代工，之后专注切入高端制程技术，甚至在14纳米和10纳米FinFET制程世代，抢下台积电大客户高通的订单，让其晶圆代工事业一战成名。
不过，在进入7纳米制程世代之后，台积电同时抢下苹果和高通订单，明显大赢三星，为此三星的晶圆代工事业策略亦出现明显改变，过去专注于高端制程快速超车，近期则广泛与各应用领域客户接触，让晶圆代工业务布局更广泛，借以拉升市占率。
台积电
根据2016年台积电发布的财报显示：台积电28纳米以下先进制程占据晶圆代工营收的56%，其中16/20纳米制程、28纳米制程各占营收的比重为31%、25%。
目前，全球晶圆代工营收市占率逼近六成；在全球半导体制造技术上，掌握 10 纳米制程技术的台积电，不论技术与规模，都是全球晶圆代工业的领先厂商。
全球半导体产业备受瞩目的7纳米制程大战，2018年初由台积电抢先领军登场，尽管三星电子(Samsung Electronics)亦规划7纳米制程，然台积电已拿下逾40个客户，涵盖移动通讯、高速运算、人工智能(AI)等领域，是历年来应用和客户层面最广泛的高端制程，尤其台积电通吃苹果iPhone处理器芯片大单，2018年晶圆代工战局台积电已经先赢大半。
近期台积电再度披露先进制程规划，5纳米制程生产基地Fab18将在南科正式动工，且一次规划三期，至于3纳米制程的启动时程虽然还未公布，但台积电已透露将投入超过200亿美元来规划3纳米，明显要与已分割独立晶圆代工部门的三星全面拚战。
台积电虽然在7纳米制程世代旗开得胜，但亦已感受到三星在制程技术急起直追的压力，因此，台积电在5纳米制程布局丝毫不敢松懈，目前规划5纳米制程生产基地是Fab18，预计2018年在南科正式动工，且规划三期土地，显示其对于5纳米世代的重视程度。
半导体业者指出，台积电5纳米制程将是7纳米世代的延续，应用领域同样锁定行动通讯、高速运算、人工智能、机器学习等，预计2019年上半进入风险量产。
另外，台积电7纳米(N7)制程于2018年量产，生产基地在Fab12和Fab14第三期，预计强化版的7纳米(N7+)制程将导入极紫外光(EUV)技术，以达到生产成本和芯片密度的最佳甜蜜点。
格罗方德
格罗方德使用了三星的14nmFinFET工艺授权，若制程微缩进展顺利，2018年10纳米处理器可望量产，2020年进入7纳米世代。格罗方德的主要客户包括AMD、ARM、博通、英伟达、高通、意法半导体、TI等。
台湾联华电子
联电一度是跟台积电并列的台湾晶圆代工厂，不过在28nm节点之后已经被台积电甩开，他们现在28nm工艺的营收比例也不过21%，主力还是40nm工艺。在FinFET节点上，台积电选择了16nm，联电跟三星一样都是14nm FinFET工艺。
2017年2月23日，该公司所自主研发的 14 纳米鳍式场效电晶体 (FinFET) 制程技术，已成功进入客户芯片量产阶段。首个客户是BitFury，他们的比特币矿机芯片将使用UMC的14nm工艺代工。
中芯国际
中芯国际是世界领先的集成电路晶圆代工企业之一，也是中国内地规模最大、技术最先进的集成电路晶圆代工企业。中芯国际向全球客户提供0.35微米到28纳米晶圆代工与技术服务。从制程节点看，40nm以上成熟工艺占绝大多数。
目前中芯28纳米仅占营收5%，中芯将持续投入28纳米新平台与14纳米研发的推进。预计2019年14纳米投入试产。
2017年10月16日，中芯国际发布公告称，前台积电资深研发处长梁孟松已获委任公司联合首席执行官。人才加入，应该是中芯国际推进纳米制程技术过程中的重要环节。
在28纳米制程上，中芯也提出三阶段的规划蓝图。赵海军指出，第一阶段的polySion制程已经量产，第二阶段是第一代的HKMG制程(中芯称为HKC制程)已经在今年第2季开始产出，目标是28纳米突破10%营收，而第三阶段是第二代的HKC制程，预计在2018年底量产。
