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Vishay 推出的下一代D系列MOSFET具有诸如超低导通电阻、超低栅极电荷等高性能指标

发布日期:2012-05-03 浏览次数:76216 来源:煜治时代信息咨询(北京)有限公司
  
  D系列MOSFET采用高压条带技术,使效率和功率密度达到新的水平

  宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 5 月3 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出其下一代D系列高压功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n沟道器件具有低导通电阻、超低栅极电荷和3A~36A电流,采用多种封装。

  今天发布的D系列MOSFET基于新的高压条带技术,使效率和功率密度达到新的水平。器件的条带设计加上更小的裸片尺寸和端接,使栅极电荷比前一代方案低50%,同时提高了开关速度,降低了导通电阻和输入电容。
  400V、500V和600V器件的导通电阻分别为0.17Ω、0.13Ω和0.34Ω。超低的导通电阻意味着极低的传导和开关损耗,能够在服务器和通信电源系统、焊接、等离子切割、电池充电器、荧光灯、高强度放电(HID)照明、半导体设备和电磁加热的高功率、高性能开关电源应用中节约能源

  D系列MOSFET中的400V、500V和600V器件的栅极电荷分别为9nC、6nC和45nC,具有最佳的栅极电荷与导通电阻乘积,该值是用在功率转换应用中MOSFET的关键优值系数(FOM),400V、500V和600V器件的FOM分别为7.65 Ω-nC、15.6 Ω-nC和12.3 Ω-nC。

  新的D系列MOSFET采用简单的栅极驱动电路、非常耐用的本体二极管,易于设计到更紧凑、更轻、发热更少的终端产品中。器件符合RoHS指令,符合IEC 61249-2-21的无卤素规定,雪崩(UIS)定级让器件能够稳定可靠地工作。
器件规格表:
型号
电压 (V)
ID @ 25 ºC (A)
RDS(ON) @ max 10 V (Ω)
Qg 典型值 (nC)
封装
SiHP6N40D
400
6
1.0
9
TO-220
SiHF6N40D
400
6
1.0
9
TO-220F
SiHP10N40D
400
10
0.55
15
TO-220
SiHF10N40D
400
10
0.55
15
TO-220F
SiHG25N40D
400
25
0.17
44
TO-247
SiHP25N40D
400
25
0.17
44
TO-220
SiHU3N50D
500
3
3.0
6
IPAK/TO-251
SiHD3N50D
500
3
3.0
6
DPAK/TO-252
SiHD5N50D
500
5
1.5
10
DPAK/TO-252
SiHP5N50D
500
5
1.5
10
TO-220
SiHF5N50D
500
5
1.5
10
T-Max®
SiHU5N50D
500
5
1.5
10
IPAK/TO-251
SiHP8N50D
500
8
0.85
15
TO-220
SiHF8N50D
500
8
0.85
15
TO-220F
SiHP14N50D*
500
14
0.40
30
TO-220
SiHG14N50D*
500
14
0.40
30
TO-247AC
SiHF18N50D*
500
18
0.27
37
TO-220F
SiHG460B/IRFP460B
500
20
0.25
85
TO-247AC
SiHG22N50D*
500
22
0.23
52
TO-247AC
SiHG32N50D*
500
32
0.16
72
TO-247AC
SiHS36N50D*
500
36
0.13
92
Super TO-247
SiHP17N60D
600
17
0.34
45
TO-220
SiHG17N60D
600
17
0.34
45
TO-247AC
目标标准,产品即将面世
  新的D系列MOSFET现可提供样品,将在2012年3季度实现量产,大宗订货的供货周期为十二周到十六周。

VISHAY简介
  Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1,000 强企业”,是全球分立半导体(二极管、MOSFET和红外光电器件)和无源电子元件(电阻器、电感器、电容器)的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略,以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。有关Vishay的详细信息,敬请浏览网站 www.vishay.com。
 
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